IPI200N15N3 G 全国供应商、价格、PDF资料
IPI200N15N3 G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 50A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 90µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1820pF @ 75V
- 功率_最大：150W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：PG-TO262-3
- 包装：管件
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM24H/AE24G/X
- IGBT - 单路 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 IGBT 650V 120A TO-3P
- FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM30H/AE30G/X
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-204AL，DO-41，轴向 DIODE 1A 1600V STD SMC
- FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM34H/AE34G/X
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A2015W/H1500TR 4"
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等距 SB MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB
- 按钮 C&K Components 模块 SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 20V
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM34H/AE34G/X
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
- FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
18913062888 
0755-89697985 
0755-83223003 
171-4729-9698 
0755-22929859 
0755-84502810 
18927479189 
19520735817/1 
13910052844（微 
